_thumb_150.jpg)
Oxy tinh khiết, Oxy 5.0
Số CAS: 7782-44-7 Số
EINECS: 231-956-9 Số
UN: UN1072
Độ tinh khiết: 99,995% -99,9997%
Lớp chấm: 2.2
Hình thức:
Lớp không màu Tiêu chuẩn: Lớp công nghiệp, Lớp, Lớp điện tử
Loại bình Oxy tinh khiết chất lượng cao: khí Oxy 4.5, khí Oxy 5.0, khí oxy 5.2, khí oxy 5.5 tương đương độ tinh khiết: 99.995%, 99.999%, 99.9992%, 99.9995% dùng trong phân tích thí nghiệm, trong viện nghiên cứu…
http://khicongnghiepkd.vn/khi-oxy-o2
Nội dung sản phẩm:
| Thông số | 99,995% | 99,999% | 99,9997% |
| Argon | ≤3.0 ppmv | ≤3.0 ppmv | ≤1,0 ppmv |
| Nitơ | ≤25,0 ppmv | ≤5.0 ppmv | ≤1,0 ppmv |
| Cac-bon đi-ô-xít | ≤0,5 ppmv | ≤0,1 ppmv | ≤0,1 ppmv |
| Carbon Monoxide | ≤0,5 ppmv | ≤0,1 ppmv | ≤0,1 ppmv |
| THC (CH4) | ≤0,5 ppmv | ≤0,1 ppmv | ≤0,1 ppmv |
| Nước | ≤2.0 ppmv | ≤0,5 ppmv | ≤0,1 ppmv |
| Hydrogen | ≤1,0 ppmv | ≤0,1 ppmv | ≤0,1 ppmv |
Ứng dụng
1. Sử dụng công nghiệp
Luyện thép, nấu chảy kim loại màu. Cắt vật liệu kim loại.
2. Sử dụng trong điều trị sơ cứu các trường hợp khẩn cấp như ngạt thở và đau tim, điều trị bệnh nhân rối loạn hô hấp và gây mê.
3. Chế tạo chất bán dẫn : Sự lắng đọng hơi hóa học của silicon dioxide, tăng trưởng oxit nhiệt, khắc plasma, tách plasma của photoresist và khí mang trong các hoạt động lắng đọng /khuếch tán nhất định.
.jpg)